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钼溅射靶材
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溅射是一种先进的薄膜材料制备技术,它利用离子源产生的离子,在真空中加速聚集成高速离子流,轰击固体表面,离子和固体表面的原子发生动能交换,使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面,从而形成纳米或微米薄膜。而被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。钨靶材和钼靶材可在各类基材上形成薄膜,这种溅射膜广泛用作电子部件和电子产品,如目前广泛应用的TFT-LCD(薄膜半导体管-液晶显示器)、等离子显示屏、无机光发射二极管显示器、场发射显示器、薄膜太阳能电池、传感器、半导体装置以及具有可调谐功函数CMOS(互补金属氧化物半导体)的场效应晶体管栅极等。


  近年来,作为LCD(液晶显示)、PDP(等离子显示)等平面显示器的电极和配线材料的钼系合金靶越来越受到人们的关注。在TFt-LCD中,栅电极是一个关键部件,以前主要是用Cr/A1作为栅电极材料,随着平面显示器的大型化和高精度化,对材料的比阻抗要求越来越高,钼的比阻抗和膜应力仅为铬的1/2,同时,由于铬在蚀刻过程中会产生六价态Cr,对环境和健康有害,因此现在越来越多的公司改用Mo/A1作为栅电极材料,这样对钼靶材的需求也就越来越大。在钼靶材的应用中,钼合金的研究也越来越多,为进一步提高纯钼在耐腐蚀性(变色)和密着性(膜的剥离),在钼中添加V、Nb、W、Ta则会使比电阻、应力及耐蚀性等各种性能更好。



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